文献解读 | High-NA EUV 光刻的同轴四镜投影器:一种消除掩模 3D 效应的方案(arXiv 2025)
解读 Shintake 2025 年 arXiv 论文:用两级等曲率凹-凸镜对搭建同轴四镜投影器,把数值孔径推到 0.5/0.7(Hyper-NA),让掩模与晶圆在曝光时都保持静止,从光学根因上缓解 EUV 光刻的掩模 3D 效应。
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THE JOURNAL
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解读 Shintake 2025 年 arXiv 论文:用两级等曲率凹-凸镜对搭建同轴四镜投影器,把数值孔径推到 0.5/0.7(Hyper-NA),让掩模与晶圆在曝光时都保持静止,从光学根因上缓解 EUV 光刻的掩模 3D 效应。
从成像低通滤波与光刻胶阈值响应出发,解释为什么硅片上的图形与 GDS 版图不一致,以及 OPC 如何用规则表与迭代仿真做反向补偿。
当数值孔径(NA)超过0.85时,传统的标量衍射理论失效。本文深度解析光刻中的“矢量效应”,探讨TE/TM偏振对成像对比度的决定性影响,以及浸没式光刻中的偏振照明工程(SMO)。